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CREE的CMPA2735030是種會按照氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波射頻集成化三極管 (MMIC)。與硅或砷化鎵好于較，GaN兼有愈來愈非常好的特點；還包括越來越高的損壞場強；越來越高的達到飽和狀態光電漂移吸收率和越來越高的熱傳導彈性系數。與Si和GaAs晶狀體管比較較，GaN HEMT還出具了會高的馬力體積密度和更寬的上行速率。CMPA2735030還有兩極電抗替換工率拖動器裝修設計方法，能確保和寬的帶寬起步。

優點

穩定電壓值(zhi)達到 50 V

高熱擊穿場強

長寬為 5mm x 5mm；QFN 封口

高的溫度度采用

運用科技領域

民用(yong)型型和軍工行(xing)業用(yong)脈沖(chong)發生器雷達(da)探測電功率變(bian)小器

食品技術參數

闡述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 工率變大器

低于(yu)頻點(dian)(MHz)：2700

最高(gao)的(de)人(ren)頻帶(dai)寬度(MHz)：3500

是最(zui)高的值輸出(chu)電率(W)：30

增(zeng)益值值(dB：)30.0

工做轉化(hua)率（％）：45

額定負載電(dian)壓降(V)：50

形勢：離散裸(luo)單片(pian)機芯片(pian)

二(er)極(ji)管封裝分類：Die

水(shui)平(ping)：GaN-on-SiC

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