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UMS紅外光CHK5010-99F是一款(kuan)革命性的(de)4W氮化鎵高電子遷移(yi)率晶(jing)體(ti)管(GaNHEMT)，可為各種射(she)頻功(gong)率應用提供多功(gong)能(neng)寬帶解(jie)決方(fang)案。該產品在(zai)SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造(zao)，確(que)保(bao)了優異的(de)性能(neng)和可靠(kao)性。

單晶體管以裸晶片模式打造，還要 外部匹配好電路系統性能積極主動表現其空間。不過，正因為各種設計制作特性賦于了CHK5010-99F多的技能和常見的app空間。具體特征 也包括其好品質的光纖寬帶特性，搭載萬代高達12 GHz的脈寬和維持波操作使用。來源于GaN的技術，該設計構思可滿足高轉換和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時滿足最合適能。除外，該電源芯片具備著0.90x0.80x0.1mm的緊湊型轎車尺碼，但是在受到限制的空間中也也行放松模塊化。不僅有其睿智的性能參數，CHK5010-99F還遵循RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006細則，以保證環境和平安。這讓微信用戶在考慮和運行商品時無憂，而不懷疑對環境的不利的反應。一直以來，CHK5010-99F是一種款什么值得依賴的高能力GaN晶狀體管，極具比較廣泛的使用和表現出色的基本功能。其最讓人感覺深有感觸的能力和完全符合業內規定使其當上微波射頻功效使用的信得過考慮，為該前沿技術走上了新的成功率。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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