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CMPA5585025F微波射頻放小器CREE

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　　CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化鎵(GaN)高電(dian)子(zi)遷移率晶(jing)體管(HEMT)的單(dan)片微波集成電(dian)路(MMIC)。相比硅或砷化鎵，GaN具(ju)有更(geng)(geng)高的性能，包括更(geng)(geng)高的擊穿電(dian)壓、更(geng)(geng)高的飽和(he)(he)電(dian)子(zi)漂移速度和(he)(he)更(geng)(geng)高的導熱性。與Si和(he)(he)GaAs晶(jing)體管相比，GaN HEMT提(ti)供更(geng)(geng)高的功率密(mi)度和(he)(he)更(geng)(geng)寬(kuan)的帶寬(kuan)。該MMIC采用10引(yin)線金(jin)屬/陶瓷(ci)法蘭封裝，具(ju)有最(zui)佳的電(dian)氣和(he)(he)熱性能。


CMPA5585025F射頻放大器CREE

　　特性：

　　25db小訊號增益值　　35w其最典型的PSAT　　運轉敢達28 V　　高穿透線電壓　　高溫度進行操作　　寬度1.00 x 0.385厘米　　該頻射變小器實使用在點到點有線電、數據通訊或是定位數據通訊上行帶寬等利用。

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G）：

Parameter5.8 GHz6.4 GHz7.2 GHz7.9 GHz8.4 GHzUnits
Small Signal Gain29.524.024.024.022.0dB
Output  Power11523201919W
Power  Gain121.719.517.218.518.6dB
Power Added Efficiency302520.51919.5%

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