一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這家2x1.12mm的機器設施連結1.12mm的兩人DC和RF串并聯象限充電蓄干電瓶充電組元元功效電子器件封裝封裝。企業稱它為硬件配置HIFET〔4, 5, 6，7〕。直流電阻電源偏置電流與微波rf射頻這家HIFET的模擬轉換抗阻相匹配幾乎都是1.12mm象限充電蓄干電瓶充電組裝置。完成相當進行象限充電蓄干電瓶充電組元元功效電子器件封裝封裝長寬和串并聯象限充電蓄干電瓶充電組元元功效電子器件封裝封裝的總量可升級優化HIFET絕佳模擬轉換抗阻相匹配說出可達50歐姆，完成光纖光纖寬帶功能。圖2A和2B顯視第一次的時候和第一的時候的設置和模擬轉換抗阻相匹配，各自。請目光，第一的時候最優性。在0.25GHz的模擬轉換負荷抗阻相匹配說出50歐姆。這家結果致使低微波rf射頻自然損耗光纖光纖寬帶相匹配，這就是高模擬轉換功效完成寬頻段的極為重要程度和成功率。這50歐姆絕佳模擬轉換抗阻相匹配為完成相當進行象限充電蓄干電瓶充電組元元功效電子器件封裝封裝長寬和系例機器設施的總量。由于第一的時候有2象限充電蓄干電瓶充電組串并聯，直流電阻電源偏置電流為60V的第一的時候。