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　　QPD0030是Qorvo公(gong)司(si)生(sheng)產的一款(kuan)高(gao)性能(neng)GaN射頻功(gong)率(lv)(lv)晶體管，它采用(yong)(yong)了SiC HEMT(碳化硅高(gao)電子(zi)遷移率(lv)(lv)晶體管)技(ji)術。這款(kuan)晶體管在48V電源軌上工作，頻率(lv)(lv)范圍從直流(liu)(DC)至5GHz，輸出功(gong)率(lv)(lv)在P3dB點達到45W，非常適合用(yong)(yong)于基站、雷達和(he)通信系(xi)統(tong)等應用(yong)(yong)。

　　QPD0030的主要優點和缺點分為：　　- 的頻率依據：DC至5GHz　　- 傷害電率(P3dB)：在2.2GHz頻帶寬度下，傷害電率相當于49W。　　- 線性網絡增加收益值：在2.2GHz頻段下，明顯增加收益值為22.3dB。　　- 經典PAE3dB：在2.2GHz頻繁下，工作效率超過71.5%。　　- 事情電流電壓：48V。　　- 低導熱系數封裝類型：在高耗油率運轉時有效性水冷，保證元件的穩固性和保修期。　　- 適用間隔波(CW)和脈寬事業模試　　QPD0030能夠使用于Doherty搭建中，專門符合用在小形蜂窩、微蜂窩和有源無線天線體統的基站設備天線瓦數放縮器的后級，也能夠用在微蜂窩基站設備天線瓦數放縮器的win7伺服控制器。該元器采用了了行業中細則的4x3mm面上貼裝QFN二極管封裝，利于集成化到當前的rf射頻體統設計方案中。

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