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CREE的WGC22630是款630 W（P4dB）GaN-on-Silicon Carbide HEMT放大器，非常適合多標準化蜂窩功率放大器技術需求設計。WGC22630具備2110-2200 MHz的優化操作控制熱增強的包覆塑料封裝。

共同點GaN基SiC HEMT的技術單電電脈沖CW穩定性：2155 MHz，48 V，40μs電電脈沖厚度，10%pwm占空比，結構設置輸出的導出耗油率@P4dB=630 WP4dB=68%時的有效率充分考慮RoHS標準規定化品牌尺寸規格介紹：熱怎強GaN圖像放大儀630 W，48 V，2110-2200 MHz極限的頻率（MHz）：2200主機電源的電壓（V）：48PSAT Watt（W）：85增益控制（dB）：16.5芯片封裝：TO288-8L上海市立維創展科技開發技術英文公司商標授權經售CREE微波射頻元器件，若是必須要購CREE貨品，請鼠標單擊右下客戶鏈接小編！！！