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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT也是種光纖寬帶多晶體管集成電路芯片，面向DC-3.5 GHz做辦公通過了調優。該電子器件元器件支持系統CW，脈寬和規則化做辦公，輸入輸出輸出為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150很適宜于中國國防通訊網絡，地面中移動wlan網電，民用航空電子器件專用設備，wlan網的基建項目設備，ISM利用和VHF / UHF / L / S中波段預警雷達。應用SIGANTIC®加工工藝制做 - 一項專有的GaN-on-Silicon技術設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是各國僅有的哪家選用于頻射選用的GaN on Si技能批售商。人們在Si RF電熱成功率晶狀體管好服務上能給予大范圍的連續式波（CW）GaN，當作分立配件和組件，設計的上班在DC至6 GHz。人們的高電熱成功率CW和線性wifi網絡晶狀體管是商用國際航空電子元器件生產設備，通信新技術，wifi網絡，長激光脈沖聲納與實業，完美和醫療機構選用的良好取舍。人們的好服務組和運用了MACOM高出60年的傳統化，即便 用GaN on Si技能能給予準則和全屋定制應對方案設計，以充分考慮買家最嚴格的消費需求。人們的GaN on Silicon好服務，選擇分立晶狀體管和集成系統放縮器，選擇0.5微米換算HEMT生產技術，在電熱成功率，增加收益，增加收益平緩度，成功率角度具體表現出成績突出的RF機械性能，