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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D方式變成器，符合于多的標準蜂窩狀工作效率變成器技木app。GTVA261802FC-V1滿足輸入兼容性測試、科學規范率和無軸環熱增強學習二極管封裝的功能。

貨品年紀

表述(shu)：SiC HEMT上的高額定(ding)功率(lv)RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低標準(zhun)幾(ji)率（MHz）：2620

明顯的平率（MHz）：2690

P3dB輸出效率（W）：170

增益值值（dB）：16.8

科(ke)學規(gui)范率(lv)（%）：43

額定(ding)功率(lv)電壓值（V）：48

裝封行業類型：Earless

打包(bao)二(er)極(ji)管(guan)封裝：打包(bao)二(er)極(ji)管(guan)封裝分立氯化鈉晶體(ti)管(guan)

技(ji)術水(shui)平(ping)：SiC上的GaN

顯著特點

?GaN-on-SiC HEMT技術水平

?搜索支持

?先進典型的智能CW能，組合打(da)出，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖激(ji)光厚度(du)，10%pwm占空(kong)比(bi)

-P3dB=170W時(shi)的讀取(qu)公率

-P3dB時的(de)漏特別高速率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?都(dou)可以完全48 V、180 W（CW）導(dao)出公率下10:1的VSWR

?超(chao)模建(jian)模1A級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱常數

?無鉛(qian)并能夠滿足RoHS的標準

鄭州(zhou)市立維創展科技產業不多(duo)子公(gong)司授權使用經銷商CREE微波通信配(pei)件，倘(tang)若必須要購CREE類(lei)產品，請打開右(you)下客戶(hu)服務中心認(ren)識自己！！！