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GTRB204402FC/1是CREE的市場上350瓦（P3dB）的SiC上GaN高光電子轉化率氯化鈉晶體管（HEMT），傾力于多標準化蜂窩狀功效變大器技藝利用使用需求設計制作。GTRB204402FC兼具便捷率和無軸環的熱不斷增強封裝形式。

物品的規格

論述(shu)：SiC HEMT上的高工作(zuo)效率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

最(zui)低標準頻繁（MHz）：1930

非常(chang)高(gao)速率（MHz）：2020

P3dB工作輸出(chu)輸出(chu)阻抗（W）：350

增加收益值(zhi)（dB）：16.3

高率（%）：58

載荷系數額定容量（V）：48

打(da)包封裝(zhuang)品目：Earless

封裝：封裝分立結晶管

高技術(shu)：SiC上的GaN

特證

舉例(li)的激光(guang)脈沖CW特(te)點，2020 MHz，48 V，10μs激光(guang)脈沖高度，10%pwm占空比，搭配(pei)組合(he)轉(zhuan)換(huan)

P3dB=350W時(shi)的效果工作電(dian)壓(ya)

P3dB時的(de)高質量率=65%

中國女模建模 1C級（表明ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并(bing)足夠(gou)RoHS細則(ze)

佛(fo)山市立維創展新材料技術有限(xian)品牌(pai)英(ying)文品牌(pai)軟件授權經銷商(shang)CREE紅(hong)外光電子元器件，若是需購(gou)CREE車輛，請彈窗右(you)面克服找.我(wo)！！！