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GTRB226002FC-V1是(shi)CREE是(shi)款450瓦（P3dB）的(de)(de)SiC上GaN高(gao)微電子轉(zhuan)遷率(lv)結(jie)晶體管（HEMT），運用軟件在多標準(zhun)單位蜂窩狀電率(lv)縮放器技術設備運用軟件。GTRB226002FC-V1提(ti)供(gong)效率(lv)高(gao)化和無軸環的(de)(de)熱增進芯(xin)片封裝結(jie)構類型(xing)。

服務型號

論述：SiC HEMT上的高電機功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

很低頻(pin)繁（MHz）：2110

極限頻次（MHz）：2200

P3dB輸入輸出（W）：450

增益(yi)值值（dB）：15

熱效率（%）：60

特點

基本(ben)特征的智能CW能：10μs脈沖造(zao)成(cheng)的大(da)小(xiao)，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty夾具(ju)設計高(gao)效(xiao)率=65%

增益控(kong)制(zhi)值=14dB

P3dB=450W時的讀取電功率

超模類別1B級（通過(guo)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低傳熱系數

無(wu)鉛(qian)并擁(yong)有RoHS原則

GaN基SiC HEMT技(ji)術(shu)設備

成都 市立(li)維創展網絡有(you)效(xiao)總部受權經銷處CREE微波(bo)射頻電子器件，如(ru)果必須購(gou)CREE設備(bei)，請(qing)超鏈接右測在(zai)線客服聯絡人們！！！