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WS1A2639-V1-R3K是CREE的款非等勢面多赫蒂效率增加器電源模塊（PAM），將GaN on SiC枝術采用和現時代化的一致和偏置電流操作系統集合在配備高端定制風扇散熱操作系統的雙層層壓材料的特性上。WS1A2639-V1-R3K規律超范圍在2496 MHz至2690 MHz。然后食用最底50V的電流電流；平均效果公率標淮為6至8 W，很高值指數公式下調，數據預失事實LTE和5G NR數值警報，瞬時上行速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）裝封中。

服務外形尺寸

陳述：38.5dBmGaN on SiC最大功率變小器方案；2496-2690MHz

最低(di)值的頻(pin)率（MHz）：2496

極高率（MHz）：2690

P3dB的輸出(chu)平均功率（W）：50

增(zeng)益(yi)控(kong)制值（dB）：16.5

熱效率（%）：57

特殊電(dian)流值（V）：48

封(feng)裝(zhuang)形式行業類別：界面貼裝(zhuang)

封(feng)裝(zhuang)類(lei)(lei)型(xing)類(lei)(lei)型(xing)：封(feng)裝(zhuang)類(lei)(lei)型(xing)類(lei)(lei)型(xing)分立結晶體管

技術用：SiC上的GaN

特色

GaN基SiC系統適用

從元器二側(ce)為核心導(dao)和最大值子變成器必備條件柵極偏(pian)置電壓電流電源(yuan)開關

集成型化諧波最終

無鉛并做到RoHS規(gui)范(fan)

選擇的驅動包使用是WSGPA01

山東(dong)市立維創展科(ke)技開發有限制企業受權供應商(shang)CREE紅(hong)外光功(gong)率器件，假如想要購CREE產(chan)品，請彈窗左(zuo)邊客戶服務熱線(xian)找他們！！！