一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

GTRB246608FC-V1是CREE的一(yi)個500瓦（P4dB）的SiC上GaN高(gao)網絡遷出率(lv)(lv)結(jie)晶體管（HEMT），堅持創新驅(qu)動(dong)于多規范標準蜂窩狀(zhuang)電率(lv)(lv)增(zeng)加器應用使用需(xu)求(qiu)構(gou)思。GTRB246608FC-V1掌握高(gao)率(lv)(lv)和無軸(zhou)環的熱資料(liao)打包(bao)封(feng)裝。

企業產品規格型號

敘述：高熱效(xiao)率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

是(shi)最高的(de)頻(pin)次（MHz）：2400

增益(yi)控制（dB）：15.7

裝封等級分類(lei)：Earless

特征描述

明顯電脈(mo)沖(chong)CW能，2400 MHz，48 V，10μs脈(mo)沖(chong)發生器幀率(lv)，10%占(zhan)空比，組合所在(zai)

P4dB=600 W時的效果額定功率(lv)

P4dB=60%時的使用率

杭州市立維創展科(ke)技開發有現工司(si)品(pin)牌授權經銷處CREE徽波集成電路芯片，如果要購CREE物品(pin)，請選(xuan)擇右則客戶(hu)服務搞(gao)好(hao)關系我！！！