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?第三方代650 V裸片SiC MOSFET

上線耗時(shi):2025-01-03 16:57:39     閱覽(lan):630

行在業內超先進導通馬力電阻和旋轉開關材料耗費,才可以實現目標較好機械性能和馬力高密度基本參數。

Wolfspeed隨著最后代(dai)650 V SiC MOSFET不(bu)斷(duan)增加了(le)其氧化硅(SiC)能(neng)(neng)力上的(de)為主整體素(su)質(zhi)。在更完(wan)全的(de)電(dian)(dian)能(neng)(neng)系統的(de)中滿意身材更小、含水量更輕、比較高(gao)效的(de)電(dian)(dian)能(neng)(neng)轉化率(lv)。650 V SiC MOSFET是效果優質(zhi)工(gong)農業電(dian)(dian)、服務性器/就(jiu)是聯通無線(xian)網絡電(dian)(dian)源(yuan)開(kai)關、新(xin)資源(yuan)智(zhi)能(neng)(neng)車(EV)充能(neng)(neng)保護裝置、存儲設配、應(ying)急指揮(hui)開(kai)關電(dian)(dian)源(yuan)(UPS)和電(dian)(dian)池箱工(gong)作智(zhi)能(neng)(neng)化平臺(tai)化等特(te)點的(de)最佳挑選(xuan)挑選(xuan)。

功能

區域(yu)環(huan)境溫度區域(yu)環(huan)境的(de)低導通內阻

低寄生菌濾波電容

掌握不高倒(dao)置完(wan)全恢復的有效肖特基(ji)二極(ji)管

繼續高溫度控住(Tj=175°C)

MOSFET.png

優勢與劣勢

經由改變(bian)開關(guan)按(an)鈕(niu)和傳導損(sun)耗(hao)費(fei)提升 設(she)備效(xiao)應(ying)

控制高電源開(kai)關(guan)頻(pin)點操作

提高了操作系(xi)統級工作效率溶解度(du)參數指標

減(jian)小裝(zhuang)置(zhi)設備(bei)的規格;凈重;和制冷讓

先進典型應運

工業品外接電源

服務保障器/聯(lian)通(tong)網絡(luo)信(xin)息網絡(luo)信(xin)息

氫(qing)能(neng)系(xi)統沖(chong)電樁安全裝置

儲電(dian)裝備(bei)(ESS)

應(ying)急(ji)響應(ying)電源線(UPS)

手機電池(chi)控制系統(tong)化(BMS)

CREE科銳于2017年(nian)分開(kai)出微波加熱頻射(she)項目Wolfspeed,以聯(lian)通寬帶、大工率圖像電壓放大器成品為優勢。

武漢市立維(wei)創展(zhan)新材料技術是CREE的(de)加盟商(shang)(shang)商(shang)(shang),都(dou)有(you)CREE微(wei)波射(she)頻電子(zi)元器件競爭優勢(shi)供貨合(he)同渠道(dao)管(guan)理(li),借款人(ren)信用維(wei)持(chi)合(he)格產品合(he)格產品。

*區域規格需申請注冊法(fa)國出口產(chan)品準許。寶貝詳情明白大多(duo)參數,認可管理(li)咨詢(xun)立維(wei)創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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