一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極間距為0.5mm。它在工業陶瓷制品二極管芯片封裝形式中操作相當于12 GHz。BI系列作品利用非常規方案的工業陶瓷制品二極管芯片封裝形式，包括回彎（Bi-G）或直（BI）引線的安轉方式英文。二極管芯片封裝形式底邊的法蘭片并且看作電流接地系統保護、微波射頻接地系統保護和熱路。這篇分是完全符合RoHS標淮的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

如若您需要購買AM005WN-BI-R，請點擊右側客服聯系我們！！！

特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
很好風扇散熱的底

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機