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描述
AMCOM的AM010MH4-Bi-R是雙全產品系列GaAs HIFET的地方。HiFET是高壓力、高電率、高曲線和寬帶網運用的地方相配專屬了的設備的標準配置。該電子元元器的總電子元元器外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率紅外光運用而方案的，業務概率到達3GHz。BI全產品系列主要采用另一種非常規方案的工業陶瓷芯片芯片封裝，具有著彎曲成或垂線的引線和凸緣施工的方法。芯片芯片封裝側面的蝶閥法蘭一同看做直流電壓保護接地系統、rf射頻保護接地系統和熱路。這是HiFET是符合要求RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM010MH4-BI-R	1周	50

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特征
25V漏極偏壓
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz
適用有效地散熱性能的工業陶瓷芯片封裝

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信