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Qorvo的TGA2573-2也是款帶(dai)寬，高最(zui)大功率(lv)GaN HEMT圖(tu)像放(fang)大電(dian)路(lu)，選取Qorvo生(sheng)產的的0.25-um GaN on SiC生(sheng)產技術創造。工作上(shang)頻帶(dai)寬度位置(zhi)為2至18 GHz，在(zai)30 V的漏極偏壓下，趨于穩定所在(zai)電(dian)率(lv)為40 dBm，PAE為20％，信(xin)號燈收獲為10 dB。

 TGA2573-2截然適宜50歐姆，并在兩位RF串口上集都是DC堵(du)塞(sai)濾波電容，愈來愈適宜支撐企(qi)業和防御相關的(de)app。

TGA2573-2是100％DC和晶圓上(shang)的RF公測，以加強組織領導具(ju)備(bei)的性能(neng)規(gui)(gui)(gui)程(cheng)。無鉛且符合規(gui)(gui)(gui)定RoHS規(gui)(gui)(gui)定。

其主要特征

• 頻繁 領域：2至18 GHz
• PSAT：VD = 30 V時為40 dBm
• PAE：關鍵的20％
• 小4g信號收獲：10 dB
• 回波損失：15 dB
• 偏置：VD = 30 V，IDQ = 500 mA，經典值VG = 2.3 V.
• 的技術：在SiC上適用0.25-um GaN
• 長寬：2.55 x 5.54 x 0.1 mm

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