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Qorvo的TGA2512有的是款寬帶網(wang)絡低(di)躁(zao)聲縮(suo)放器(qi)(qi)，含帶AGC縮(suo)放器(qi)(qi)，使用手機戰(zhan)（EW），手機抵(di)御錯施（ECM）和雷達天線接收(shou)入器(qi)(qi)或能夠縮(suo)放器(qi)(qi)應該用。TGA2512供給(gei)基本特(te)(te)征的5 - 15 GHz高收(shou)獲27 dB，含有出眾的的噪(zao)音(yin)污(wu)染穩定性，基本特(te)(te)征的中頻噪(zao)音(yin)污(wu)染標(biao)準數值為(wei)(wei)1.4 dB，而不平衡(heng)量(liang)拓撲關(guan)系供給(gei)較好的回波不足(zu)，基本特(te)(te)征數值為(wei)(wei)15 dB。

TGA2512主(zhu)(zhu)要是很大局(ju)限(xian)地快(kuai)捷的(de)使用。大發送FET可(ke)以信(xin)得過地操(cao)(cao)作可(ke)以達(da)到21 dBm的(de)發送電功率，而內(nei)部設(she)置收獲(huo)設(she)定可(ke)提供數據(ju)15dB的(de)典型示范收獲(huo)設(she)定領域(yu)。該電子(zi)元件還主(zhu)(zhu)要包括自偏置方(fang)式(shi)裝設(she)，主(zhu)(zhu)要包括基帶芯片指(zhi)定側的(de)+ 5V單電原接連，或主(zhu)(zhu)要包括柵極偏置方(fang)式(shi)，禁止手(shou)機用戶操(cao)(cao)作某一技術應用的(de)瞬時電流。

在(zai)自偏(pian)置(zhi)模(mo)型下，TGA2512提(ti)供了6 dBm的(de)舉(ju)例P1dB，而在(zai)柵極偏(pian)置(zhi)模(mo)型下，舉(ju)例的(de)P1dB高出13 dBm。2.46mm2的(de)小(xiao)規格尺寸需要枯燥(zao)壓(ya)縮成到多(duo)單(dan)片機芯片模(mo)塊(kuai)電源（MCM）中。

TGA2512是(shi)100％DC和晶圓上的RF測驗，以確認功效正規性。該(gai)電子元器件無鉛且達(da)到RoHS原則。

重點的特點

• 典例平率標準：5至15 GHz
• 1.4 dB標稱背景噪聲標準值
• 標稱增益控制為27 dB
• 偏置：5 V，160 mA柵極偏置
• 5 V，90 mA自偏壓
• 0.15 um 3MI pHEMT系統
• 集成塊面積：2.05 x 1.20 x 0.10 mm（0.081 x 0.047 x 0.004 in）

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