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CGHV96050F2氧化硅高電子遷入率晶狀體管 銷售商期貨

發布新聞時:2019-02-22 10:22:17    ; 訪問:1762

50 W,7.9 - 9.6 GHz,50歐姆,插入/輸入輸出符合GaN HEMT


Wolfspeed的(de)(de)CGHV96050F2是氧化硅(gui)(gui)(SiC)的(de)(de)基(ji)板上的(de)(de)氮化鎵(jia)(GaN)高光電挪動率(lv)(lv)氯化鈉晶(jing)體管(HEMT)。與(yu)的(de)(de)工(gong)藝相(xiang)對來說,一種GaN內部連接(IM)FET包(bao)括出(chu)眾(zhong)的(de)(de)的(de)(de)馬力增(zeng)加速(su)度。與(yu)硅(gui)(gui)或砷化鎵(jia)相(xiang)較于,GaN具(ju)有(you)非常好(hao)的(de)(de)穩定性,具(ju)有(you)高些(xie)的(de)(de)穿(chuan)透電壓值,高些(xie)的(de)(de)達到飽(bao)和(he)狀態網絡漂移車速(su)和(he)高些(xie)的(de)(de)傳熱率(lv)(lv)。與(yu)GaAs晶(jing)胞管好(hao)于,GaN HEMT還展示更(geng)好(hao) 的(de)(de)輸出(chu)體積和(he)更(geng)寬的(de)(de)速(su)率(lv)(lv)。該IM FET主(zhu)要包(bao)括廢金屬/瓷(ci)質法蘭盤二極管封裝,具(ju)有(you)著(zhu)更(geng)好(hao)的(de)(de)電力和(he)溫(wen)性能。

品牌 型號 貨期 庫存
CREE CGHV96050F2 1周 300
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特征

  • 80 W POUT類型值


谷值效果(guo)公率 50W
適(shi)用 L波(bo)(bo)長(chang)/ S波(bo)(bo)長(chang)/ X波(bo)(bo)長(chang)/ C波(bo)(bo)長(chang)/ Ku波(bo)(bo)長(chang)
基(ji)本(ben)特(te)征的(de)額定功率額外增(zeng)加能力PAE 55%
典(dian)型案例工作(zuo)效率(PSAT) 80瓦
瓦數(shu)收(shou)獲(huo) 10噪音分貝
操作(zuo)線電壓 40 V
規律 7.9 - 9.6 GHz
包裝機類 輪緣
的內部(bu)輸入(ru) 是 - 50Ω

示意圖

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