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JP503AS低剖面,高穩定性3dB混和合體器原裝機庫存管理

推出時期(qi):2020-04-01 08:51:37     看:1777

JP503AS是(shi)(shi)(shi)一(yi)個(ge)低剖面,高(gao)性能的(de)(de)3dB混(hun)合(he)耦(ou)合(he)器在(zai)一(yi)個(ge)易于使用(yong),制造(zao)友好的(de)(de)表面安(an)裝包。它(ta)是(shi)(shi)(shi)為W-CDMA和(he)(he)其他3G應用(yong)而(er)設(she)計(ji)的(de)(de)。JP503AS是(shi)(shi)(shi)為平(ping)衡放(fang)大器、可變移相器和(he)(he)衰減器、低噪(zao)聲放(fang)大器、信號分配而(er)設(she)計(ji)的(de)(de),是(shi)(shi)(shi)無(wu)線(xian)工業日(ri)益增長的(de)(de)小型(xing)印刷電(dian)路板和(he)(he)高(gao)性能需求(qiu)的(de)(de)理想(xiang)解決方案。零件經(jing)過嚴(yan)格(ge)的(de)(de)鑒定測試,并使用(yong)熱膨脹系數(shu)(CTE)與(yu)常(chang)見(jian)基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和(he)(he)聚酰亞胺)兼容的(de)(de)材料制造(zao)。采用(yong)6/6符合(he)RoHS標準的(de)(de)浸錫處(chu)理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS的特(te)征:

2.0–2.3千兆赫(he)。

3G頻繁

低耗費

高隔離度(du)

90°正交(jiao)

表層貼裝

磁(ci)帶和卷(juan)盤

無鉛

100%測(ce)試儀

JP503AS非常(chang)重要(yao)性能指標

的頻率(lv)(GHZ):2.0 - 2.3

功效(W):25

回波(bo)材料(liao)耗費(dB):20.8

讀取(qu)消耗(dB):0.30

鄭州市立(li)維創展(zhan)科枝受限集(ji)團公司Anaren品牌形象的銷售商經售商,具體出示貼片混合型交叉耦合電路器、巴倫電抗器、卡頓線、專向交叉耦合電路器、Doherty合路器(qi)、功分器(qi)、微蜂窩型解耦器(qi)、 RF Crossovers廠(chang)(chang)品(pin),廠(chang)(chang)品(pin)正品(pin)貨存,最(zui)具產品(pin)報價(jia)勝機,青睞詳詢

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