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HMC219B就是款超小行適用雙發展混頻器，主要包括8引腳超小行材料表貼封口，帶裸露出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單電源芯片紅外光融合電線(MMIC)混頻器主要包括砷化鎵(GaAs)鋁合金半導體設備場效果納米線管(MESFET)藝生產制造，不需要內部元件或自動匹配電線。該元件能用作頻繁區域為2.5 GHz至7.0 GHz的上直流調頻空調器、下直流調頻空調器、雙相調試器或相位相對器。 立維創展HMC219B用于要經過提升的巴倫成分，能提供突出的本振(LO)至頻射(RF)防護及LO至中頻(IF)防護效果參數。完全適合RoHS標淮的HMC219B不需線焊，與高儲存量表貼制造出枝術兼容。MMIC效果參數平穩可延長程序工作任務利用率并為了保證完全適合HiperLAN、U-NII和ISM法律規定耍求。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE廣(guang)泛應用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖