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?CGHV40180 L波長工作電壓放小器CREE

發(fa)部(bu)耗時:2023-12-29 17:14:35     打開網頁:987

CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子無線變更率尖晶石管(HEMT)。具備條件前所尚無的錄入,能夠在DC-2.0GHz範圍左右能提供好一點的的瞬時網絡帶寬特性。與硅或砷化鎵較之較,CGHV40180極具更佳高品質的耐磨性;涉及高的的熱擊穿場強;高的的達到飽和狀態電子無線漂移時速與高的的導電標準值。與Si和GaAs氯化鈉晶體管不同于較,CGHV40180還帶來越高的輸出體積和更寬的帶寬的配置。CGHV40180選取2絕緣線金屬質/瓷磚法蘭片盤和藥丸式封口,并能完成最容易電氣開關和熱平穩性。

CGHV40180.png

共同點

插入不兼容性測試

180W(CW)低些效率(lv)

250W典型(xing)示(shi)范(fan)輸出(chu)功率

24dB非常(chang)典型小預警增(zeng)益值(zhi)值(zhi)

28V和50V運(yun)行(xing)

使用層面

統計監測

整形調理

寬帶網調小器

資(zi)訊安全性(xing)高VHF-UHF

國防(fang)科技(ji)日本軍事通信技(ji)術(shu)裝置

車輛品種

說(shuo)明:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高智能電子移動率單晶體(ti)管

保底(di)次數(MHz):0

極(ji)高頻繁(MHz):2000

最大值(zhi)輸送電率(lv)(W):200

增加(jia)收(shou)益值(聲貝):24.0

效應(%):70

額(e)定容量電壓等級(V):27

型號(hao):封(feng)口分(fen)立納(na)米線管(guan)

打包封裝等級(ji)分類:法(fa)蘭(lan)部盤、丸(wan)狀

水平軟件:GaN-on-SiC

介紹信息
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