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發(fa)部(bu)耗時:2023-12-29 17:14:35 打開網頁:987
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子無線變更率尖晶石管(HEMT)。具備條件前所尚無的錄入,能夠在DC-2.0GHz範圍左右能提供好一點的的瞬時網絡帶寬特性。與硅或砷化鎵較之較,CGHV40180極具更佳高品質的耐磨性;涉及高的的熱擊穿場強;高的的達到飽和狀態電子無線漂移時速與高的的導電標準值。與Si和GaAs氯化鈉晶體管不同于較,CGHV40180還帶來越高的輸出體積和更寬的帶寬的配置。CGHV40180選取2絕緣線金屬質/瓷磚法蘭片盤和藥丸式封口,并能完成最容易電氣開關和熱平穩性。

共同點
插入不兼容性測試
180W(CW)低些效率(lv)
250W典型(xing)示(shi)范(fan)輸出(chu)功率
24dB非常(chang)典型小預警增(zeng)益值(zhi)值(zhi)
28V和50V運(yun)行(xing)
使用層面
統計監測
整形調理
寬帶網調小器
資(zi)訊安全性(xing)高VHF-UHF
國防(fang)科技(ji)日本軍事通信技(ji)術(shu)裝置
車輛品種
說(shuo)明:180瓦;DC-2GHz;氮化鎵高智能電子移動率單晶體(ti)管
保底(di)次數(MHz):0
極(ji)高頻繁(MHz):2000
最大值(zhi)輸送電率(lv)(W):200
增加(jia)收(shou)益值(聲貝):24.0
效應(%):70
額(e)定容量電壓等級(V):27
型號(hao):封(feng)口分(fen)立納(na)米線管(guan)
打包封裝等級(ji)分類:法(fa)蘭(lan)部盤、丸(wan)狀
水平軟件:GaN-on-SiC