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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅多晶硅上基于氮化鎵 (GaN) 高智能電子轉入率晶狀體管 (HEMT) 的單面微波加熱整合線路 (MMIC)；選擇 0.25 μm 柵極外形尺寸定制加工工藝。與硅想必較，GaN-on-SiC兼有愈來愈出眾的耐腐蝕性；砷化鎵或硅基氮化鎵；涵蓋更大的熱擊穿場強；更大的趨于穩定手機漂移效應和更大的導電公式。CMPA1D1E025 常用 10 接地線；25 mm x 9.9 mm；金屬材質/陶瓷圖片法蘭部盤封裝類型夠實現目標最很理想的電力機機和熱動態平衡性。

的特點

24 dB 小數據信號增(zeng)益(yi)控制值

40 W 一般脈(mo)沖造成的4g信號 PSAT

額定值輸出功率高至(zhi) 40 V

OQPSK 下 20 W 非線性(xing)熱(re)效率

A/B類高(gao)(gao)增益控制；高(gao)(gao)率 50 Ω MMIC Ku 速度段高(gao)(gao)工率調大(da)器

技術應用前沿技術

中國(guo)軍工用(yong)和家用(yong) Ku 頻譜統計

軟件規格型號

描素：25瓦；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；Ku 頻譜 GaN MMIC 公率調小器

極低平率(MHz)：13500

最好頻帶(dai)寬度(MHz)：14500

最快值內容(rong)輸(shu)出工作效率(W)：25

增益值(zhi)值(zhi)(dB)：26.0

崗位(wei)速度（％）：16

額定(ding)功率(lv)端電壓(V)：40

結構類型(xing)(xing)：封裝類型(xing)(xing)的MMIC

裝封品目：卡箍盤

枝術：GaN-on-SiC

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