一区二区三区欧美-亚洲午夜精品-一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线

CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅單晶硅上選擇氮化鎵 (GaN) 高電子為了滿足電子時代發展的需求，遷出率結晶體管 (HEMT) 的單面微波射頻集成式電源電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D用0.25μm柵極尺寸圖藝枝術。與硅比較較，GaN-on-SiC極具更加的高品質的耐腐蝕性；砷化鎵或硅基氮化鎵；含蓋越來越高的電壓擊穿場強；越來越高的過剩網上漂移使用率和越來越高的導電公式。

表現

27 dB 小(xiao)電磁(ci)波收(shou)獲值

30 W 典范 PSAT

操作電流高(gao)至 40 V

高熱擊穿場強

高的溫度度操作

適用科技領域

移動通訊(xun)(xun)衛星移動通訊(xun)(xun)上行帶寬(kuan)路由協(xie)議

類產品產品規格

講述：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 工作(zuo)效(xiao)率變成器

低速(su)度(MHz)：13750

最大頻率(MHz)：14500

最底值讀取電率(lv)(W)：30

增加(jia)收(shou)益值(dB)：26.0

高(gao)效率（％）：25

作業電流(liu)值(V)：40

行式：MMIC 裸片

封(feng)裝種類：Die

水(shui)平：GaN-on-SiC

上海市立維創展科學技術(shu)一区(qu)二(er)区(qu)三区(qu)欧美-亚洲午夜精(jing)品(pin)-一区(qu)二(er)区(qu)三区(qu)在线播放-欧美一区(qu)二(er)区(qu)在线官(guan)網公司官(guan)網授(shou)權文件生產(chan)商CREE微波射頻元件，如果可以購(gou)CREE貨品(pin)，請打開網頁右下qq客(ke)服去聯系(xi)的！！！