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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT具有著科學規范果工作瓦數溶解度和光纖寬帶寬下的科學規范率。然而GaN HEMT的直線度常常比GaAs器材的直線度差。中心句確立好幾個種簡簡單單的步驟來有效改善GaN HEMT的直線度。所確立的步驟是將器材提成與人格獨立設定的柵極偏置的電壓串聯的好幾個子單位，其次上下聯單位效果展開工作瓦數搭配組合。

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