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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高度為2.5mm。它在瓷器二極管封裝形式類型中工作多達8 GHz。BI系列的選擇特定設計制作的瓷器二極管封裝形式類型，包括可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的安裝原則。二極管封裝形式類型底的蝶閥法蘭時算作交流電與地面、rf射頻與地面和熱路。莫言的作品分是適合RoHS要求的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
很好的熱管散熱的邊側

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機