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描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為1.25mm。它是在淘瓷BI打包芯片封口，行駛到達10千兆赫。BI一系列用到特色設計構思的淘瓷打包芯片封口，兼具可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的怎么安裝原則。打包芯片封口底的卡箍的同時最為直流電源接地保護裝置、微波射頻接地保護裝置和熱路。莫言的作品分是符合國家RoHS要求的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM012WN-BI-R	1周	50

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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益＝17dB，p5dB＝37 dBm，PAE＝51%，漏＝55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
更好導熱的底下

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機