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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙類型的一環節分。HIFET是環節匹配好的申請設配運行環境，應運在高電壓電流、高瓦數和聯通寬帶應運。該電子電子器件的總電子電子器件周邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高瓦數微波通信應運而方案的，運行次數萬代高達6GHz。BI類型主要包括有一種特殊化方案的淘瓷封口，具備著微彎或蹭蹭蹭蹭的引線裝的方法。封口上端的活套法蘭一并身為整流接地極裝置、rf射頻接地極裝置和熱路。這位HiFET是符合要求RoHS規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
適用于很好散熱器的工業陶瓷封裝形式

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信