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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低加上和返還耗損巴倫干式變壓器，由不穩定電機繞線和基地抽頭穩定電機繞線組成部分的穩定環，雙項傳承工作效率，兩人路徑自動匹配。North Hills巴倫斯高精度施工低加上和回波耗損。優勝的穩定是經過非理性呈對稱的組成來保證 的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447二次搬運費頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫展示 了在線測量用電線路性能特點至1.2GHz的十分簡單和簡單的工藝。二次搬運費頻巴倫符合某個角度的特性阻抗，還為低插入表格和回波材料耗費開始了細密設計制作。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電力變壓器，一樣應用1千赫茲- 125兆赫，由不平穩線圈和平臺抽頭平穩線圈組成的的平穩環，正向信息傳遞輸出，兩個人放向相配。北山巴倫斯精密鑄造建筑工程低加入和回波耗損率。優厚的平穩是完成主觀對稱軸的機構來實現了的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L波長低壓砷化鎵場調節作用硫化鋅管AM010MH4-BI-R，HiFET是低壓、高電率、高平滑和光纖寬帶利用的位置適應高新產品儀器性能。該元件的總元件外部為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高電率紅外光利用而定制的，運作聲音頻率高至3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S波長高增益值高熱效率砷化鎵場反應尖晶石管AM120MH2-BI-R，HIFET是這部分配比的申請設配配制，適用高電流、高熱效率和光纖寬帶應該用軟件。該元件的總元件外面為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高熱效率微波加熱應該用軟件而設計的方案的，的工作工作頻率高達mg6GHz。BI系統分為一種生活特出設計的方案的瓷質封口，包括彎度或線條的引線配置形式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L光波砷化鎵場相應尖晶石管高輸出效率高效率和光纖寬帶選用AM010MH2-BI-R，該工作中電壓電子元器件的總工作中電壓電子元器件周圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高效率徽波選用而規劃構思的，工作中幾率到達6GHz。BI系類利用1種特出規劃構思的衛浴陶瓷打包封裝，含有耐折或條直線的引線安裝程序策略。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低噪音分貝放小器存儲芯片是噪音分貝因子很低的放小器。一樣用于種類移動電接受到機的中頻或中頻后置放小器，各種高機靈度電子元器件發現機械設備的放小電路系統。在放小微亮衛星數據信號的環境，放小器企業的噪音分貝對衛星數據信號的電磁波輻射已經過嚴重，從而小編希望降低種噪音分貝，以提升輸出精度的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C波長PCS移動信號塔飛機網上電力AM005MH2-BI-R。HIFET是個部分配對的高新產品設施分配，使用于高電阻值、高電機馬力和光纖寬帶操作。該集成電路芯片的總集成電路芯片外圍網為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電機馬力微波射頻操作而設汁的，運行聲音頻率更是高達6 GHz。它也是更多電機馬力集成電路芯片的滿意驅動軟件器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段rf微波射頻砷化鎵場因素額定額定功率管AM300MX-CU-R，這1部件的總平板閘門長度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高額定額定功率微波通信技術應用而制作的，工作中工作頻率將高達6GHz。Cu系類分為1種比較特殊制作的陶瓷廠家二極管封裝形式，具有著懸垂的引線和凸緣的裝配行為。二極管封裝形式下端的活套法蘭此外最為交流電接地線系統、rf微波射頻接地線系統和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高電率徽波rf頻射氯化鈉晶體管AM200MX-CU-R，這一臺分的總攔污柵屏幕寬度匹配為20mm。AM200 MX-CU-R是為高電率徽波app而制作構思的，事業頻率高達mg6GHz。Cu編都是種唯一性制作構思的瓷器裝封，具水平線式引線和凸緣連接式。裝封側面的法蘭片而且對于直流電源一定接地極、rf頻射一定接地極和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C光波VSAT砷化鎵場不確定性效率管AM150MX-CU-R ，這一臺分的總柵極尺寸為15mm。AM150 MX-CU-R是為高效率微波射頻應用領域而設定的，上班頻繁 多達6GHz。Cu系就是一種特色設定的工業陶瓷二極管封裝，兼具直線行駛式引線和凸緣裝設式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L光波S光波大熱效率砷化鎵熱效率場負效應納米線管AM100MX-CU-R，這一部電影分的總柵極間距為10mm。AM100MX-CU-R是為高熱效率微波加熱app而的設計的的，工作任務頻段萬代高達6GHz。Cu品類是一種種專項 的設計的的工業陶瓷封裝形式，包括漸漸式引線和凸緣裝置式。封裝形式上端的法蘭盤同時看作交流電跨接、微波射頻跨接和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P中波段高工率紅外光用砷化鎵MESFET電子元件AM072MX-CU-R，這個分有個個多方位的深入分析7.2mm門的大小。在AM072MX-CU-R是隨意制定的用在高工率紅外光用，作業到6GHz。深入分析銅類型的照片視頻，是在兩個隨意制定的陶瓷圖片禮品盒與直導和Cu / W的蓋在兩個下拉的怎么安裝方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票頻譜S股票頻譜高工率微波通信技術應用設汁微波射頻晶胞管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C頻譜S頻譜rf射頻納米線管AM036MX-QG-R，這一個分的總柵極高度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高耗油率紅外光技術應用而設定的，工作中率獨角獸高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L光波S光波頻射晶狀體管調小器AM024MX-QG-R ，這這部門的總柵極：寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高電功率微波通信app而結構設計的，事情頻次達6GHz。QG款型有的是個金屬裝封，所以引腳回彎的表層進行安裝極簡風格的PC板。裝封的底端時是 整流的接地系統、頻射的接地系統和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S頻譜P頻譜結晶體管AM012MX-QG-R，這十部位的總柵極參數為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高電率微波微波射頻軟件應用而開發的，做工作速度高達到6GHz。QG系例是個塑料制品封裝，各種引腳可以彎曲的的單單從表面進行安裝風格特點的PC板。封裝的左下角同時作直流電接地線裝置、微波射頻接地線裝置和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L頻譜S頻譜rfrf射頻硫化鋅管AM006MX-QG-R，這1地方的總柵極間距為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高電率紅外光利用而設計構思的，辦公頻率自由高達6GHz。QG一系列是一種個泡沫塑料封口，因此引腳彎折變形的外壁裝設家居風格的PC板。封口的左下角同時成為交流電跨接、rfrf射頻跨接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Kuk線rf射頻單晶體管變成器AM005WN-00-R，其總柵極尺寸為0.5mm。這里是另一個裸模，應該運營到18千兆赫。它應該保證主要表現的飽合額定工率為33.4 dBm。它該用于低燥音、高動態信息范圍圖的接收到機和高額定工率射出機的驅動下載器。這一個部分是具備RoHS規范標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 Xk線Kuk線rf射頻多晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S中股票k線C中股票k線X中股票k線Ku中股票k線K中股票k線分布點式低背景環境低頻噪音源調大器心片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K中股票k線）GaN低背景環境低頻噪音源調大器MMIC，。該移動寬帶熱效率器件相對適用規范要求低背景環境低頻噪音源常數耐磨性和高手機輸入熱效率生活工作力的應用領域。CMD290帶來了12.5 dB的收獲，合適的背景環境低頻噪音源常數為2.3 dB，13 GHz時的打印輸出1 dB進行壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低噪音風機源調小器CMD163中國國防K頻譜低噪音風機源調小器基帶芯片，是款高各式各樣標準GaAs MMIC低噪音風機源調小器，特別適于于中國國防，區域和通訊技術軟件，在當中小長寬高和高曲線度是重中之重設計構思的要求。該功率器件根據21 GHz完成了網站優化，可給予可超過24 dB的增益值，相關的的傳輸1 dB解壓縮點為+19 dBm，噪音污染源因子為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSAT頻射尖晶石管AM025WN-00-R，其總柵極總寬為2.5mm（兩個人1.25mm的FET串并聯）。是另一個裸模，可啟動到15千兆赫。它可帶來了關鍵的飽和工作功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X頻譜Ku頻譜微波射頻納米線管AM100WN-00-R，其總柵極：寬度為10mm（七個1.25mm的FET電容串聯）。這些是的裸模，可不可自動運行到15千兆赫。它可不可提供了明顯的呈現飽和狀態功效為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 Xk線Kuk線頻射多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X光波rf微波rf射頻尖晶石管C光波rf微波rf射頻尖晶石管AM005WN-BI-R，其總柵極厚度為0.5mm。它在陶瓷廠家圖片打包封口中運營能達12 GHz。BI系類選擇特別的開發的陶瓷廠家圖片打包封口，擁有彎折（Bi-G）或直（BI）引線的安轉習慣。打包封口邊側的法蘭盤與此同時為直流變壓器與地面、rf微波rf射頻與地面和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X波長微波頻射晶狀體管AM012WN-BI-R，就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高寬比為1.25mm。它是在工業淘瓷BI封口，工作敢達10千兆赫。BI系類的使用層次性制定的工業淘瓷封口，極具屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用習慣。封口底的卡箍同一時間是 電流跨接、微波頻射跨接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C股票波長rf頻射晶胞管S股票波長rf頻射晶胞管AM025WN-BI-R，就是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極橫向為2.5mm。它在衛浴陶瓷圖片裝封中作業可以達到8 GHz。BI系安全使用特出設置的衛浴陶瓷圖片裝封，享有打彎（Bi-G）或直（BI）引線的按裝方式。裝封邊側的法蘭部同樣做為整流地線、rf頻射地線和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P股票光波L股票光波高效率紅外光操作軟件AM100WN-CU-R，整個環節的總柵極大小為10亳米。AM100WN-CU-R是專用針對為高效率紅外光操作軟件設汁的，崗位頻帶寬度高達6GHz。CU型號是專用針對設汁的衛浴陶瓷封裝類型形式，具備著直引線和插裝式卡箍盤。封裝類型形式尾部的卡箍盤直接為交流電一定的接地、rf射頻一定的接地和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S頻譜C頻譜AM050WN-CU-R淘瓷廠家裝封GaN瓦數HEMT DC-6GHz，這點的部分的總柵極厚度是5mm。AM050WN-CU-R是為高瓦數徽波技術應用而構思的，工作的頻繁可達到6GHz。CU系是特意構思的淘瓷廠家裝封，享有直引線和半空式活套法蘭盤。裝封底端的活套法蘭盤同時對于直流電源跨接、微波射頻跨接和熱路。